SSD Interne M.2 NVMe Samsung 990 Evo Plus 💾 – 2 To

Pour les passionnés de performance et de fiabilité. 🔍 **Référence** : MZ-V9S2T0BW 📊 **Fiche technique** (octobre 2024) : [Télécharger la fiche technique](https://download.semiconductor.samsung.com/res...pdf) 🌐 **Site du constructeur** : [Samsung France](https://samsung.com/fr/...bw/) 💨 **Vitesse spectaculaire au quotidien** Exécutez vos tâches plus rapidement avec le 990 EVO Plus et sa NAND de dernière génération. Profitez de vitesses de lecture/écriture séquentielles jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Idéal pour les fichiers volumineux et les transferts instantanés. 🌡️ **Performances fulgurantes, fraîcheur garantie** Grâce à son contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus consomme 73 % moins d’énergie par watt, tout en maintenant une puissance constante et en évitant les ralentissements dus à la chaleur. 💿 **Stockage max, vitesse max** La technologie Intelligent TurboWrite 2.0 optimise les performances de votre SSD. Traitez rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite étendu, disponible jusqu’à 4 To. 🔧 **Logiciel Samsung Magician** Optimisez votre SSD avec les outils du logiciel Samsung Magician. Migrez vos données en toute sécurité, surveillez l'état de santé de votre SSD et restez à jour avec les dernières mises à jour. 🚀 **Innovation au quotidien** Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires. Cette même technologie équipe aujourd’hui les SSD grand public, ouvrant la voie à la prochaine vague d’innovations. 🏆 **Performance** Augmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu’à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent. ⚡ **Efficacité énergétique** Amélioration de 73 % de l’efficacité énergétique pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique. 🔄 **Polyvalence** Capacité étendue jusqu’à 4 To et technologie Intelligent TurboWrite 2.0. 📏 **Spécifications** : - **Version NVMe** : 2.0 - **Algorithme de sécurité** : 256-bit AES - **Capacité** : 2 To - **Facteur de forme** : M.2 - **Interface** : PCI Express 4.0 - **Type de mémoire** : V-NAND TLC - **Vitesse de lecture** : 7 150 Mo/s - **Vitesse d'écriture** : 6 300 Mo/s - **Lecture aléatoire (4KB)** : 850 000 IOPS - **Écriture aléatoire (4KB)** : 1 350 000 IOPS - **Support S.M.A.R.T.** : Oui - **Support TRIM** : Oui - **Temps moyen entre pannes** : 1 500 000 heures 📐 **Poids et dimensions** : - **Largeur** : 80,2 mm - **Profondeur** : 2,38 mm - **Hauteur** : 22,1 mm - **Poids** : 9 g